何刚

发布者：管理员发布时间：2025-12-16浏览次数：115

姓名		何刚	出生年月	1975-08
职称		三级教授	职务	无
电子邮箱		hegang@ahu.edu.cn
研究方向		氧化物薄膜场效应器件及神经形态器件构筑、类脑计算及柔性显示器件集成
个人简介	1：1997-2001，安徽大学物理系，电子材料与元器件专业学士学位； 2：2001-2006，中科院固体物理所凝聚态物理博士学位； 3: 2006-2007，中科院固体物理所助理研究员； 4：2007-2009，日本东京大学应用化学系文部省JSPS研究员； 5: 2009-2011，日本国家材料所( NIMS)高级研究员； 6：2011-2021，安徽大学物理与材料学院，教授，博导； 7: 2021-现在，安徽大学材料科学与工程学院，教授，博导； 2013年入选安徽省“皖江学者”特聘教授；2017年入选合肥市第八批拔尖人才；2017年入选安徽省学术与技术带头人；2024年入选安徽省研究生教学名师。
科研成果	申请者多年来一直从事高k栅介质的设计、金属氧化物薄膜晶体管及其神经形态器件构筑、类脑计算及仿生应用研究工作。在高k栅介质界面态调控、高性能氧化物薄膜晶体管器件构筑及其神经形态计算与仿生应用方面取得一系列创新成果，见课题组主页(https://ganghe.ahu.edu.cn)。截至目前, 以第一作者或通讯作者在Adv. Mater; Adv. Func. Mater; ACS Nano; Nano Lett; Appl. Phys. Lett等国际刊物上合作发表SCI论文近350余篇，被正面引用6000余次，H指数为38；先后受邀在Prog. Mater Sci；Surf. Sci. Rep等国际顶尖期刊上撰写综述。此外主编英文专著《High-k Gate Dielectrics for CMOS Technology》(WILEY-VCH，2012);主编“十四五”普通高等教育本科规划教材《高k栅介质材料与器件集成》由清华大学出版社2023年出版。先后主持国家自然科学基金青年及面上项目计4项，教育部重点科学技术项目1项，以及安徽省自然科学基金面上项目2项，教育厅项目2项；先后参与多项包括国家973重大研究计划项目、国家自然科学基金面上及晶合半导体横向合作课题多项。 1: C. Fu, J. W. Yang, J. Wang, S. H. Luo, L. B. Luo, H. H. Wei, Y. J. Li, S. S. Jiang, G. He^, Dual-Mode Semiconductor Device Enabling Optoelectronic Detection and Neuromorphic Processing with Extended Spectral Responsivity. Adv. Mater.* 36(49) 2409406 (2024). 2：B. He, G. He,^* L. Zhu, J. B. Cui, E. Fortunato, R. Martins, Electrospun Highly Aligned IGZO Nanofiber Arrays with Low-Thermal-Budget for Challenging Transistor and Integrated Electronics, Adv. Funct. Mater. 34 (2024) 2310264. 3：B. He, G. He^, C. Fu, S. S. Jiang, E. Fortunato, R. Martins, S. G. Wang^, Electrospun Coaxial Nanowire-Based FETs with Annular Heterogeneous Interface Gain for Intelligent Functional Electronics. Adv. Funct. Mater. 34 (2024) 2316375. 4：B. He, B. Bao, R. Martins, S. G. Wang^, G. He^, Frame-Channel Engineered Multimodal Transistor Integrating Neuromorphic Computing with Cross-Model Edge Intelligence Adv. Funct. Mater. 35 (2025) 2506332. 5. B. Bao^, J. L. Xie, J. L. Liu, B. He, G. He^, S. G. Wang^, IGZO Thin-Film Transistors: Materials, Device Structures, Fabrications and Applications, Adv. Func. Mater. 35 (2025) 2503755. 5：H. H. Wei, J. D. Gong, J. Q. Liu, G. He^, Y. Ni, C. Fu. L. Yang, Z. P. Xu, W. T. Xu, Thermally and Mechanically Stable Perovskite Artificial Synapse as Tuned by Phase Engineering for Efferent Neuromuscular Control. Nano. Lett. 24 (2024) 9311. 6: Y. C. Zhang, G. He^, L. N. Wang, W. H. Wang, X. F. Xu, W. J. Liu, Ultravoilet-Assisted Low-Thermal-Budget-Driven αInGaZnO Thin Films for High Performance Transistors and Logic Circuits. ACS Nano.16 (2022) 4961-4971. 7:Y. J. Li, G. He^, W. H. Wang, C. Fu, S. S. Jiang, E. Fortunato, R. Martins, High Performance Organic Lithium Salt-Doped OFET with Optical Radical Effect for Photoelectric Pulse Synaptic Simulation and Neuromorphic Memory Learning. Mater. Horiz. 11 (2024) 3867. 8. B. He, G. He^, S. S. Jiang, J. W. Liu, E. Fortunato, R. Martins, Electrospun Stacked Dual-Channel Transistors with High Electron Mobility Using a Planar Heterojunction Architecture. Adv. Electron. Mater. 9 (2023) 2201007. 9. B. He, G. He^, Q. Q. Hu, S. S. Jiang, Q. Gao, E. Fortunato, R. Martins, Electrospinning-Driven Binary Oxide Nanofiber Networks with Tunable Amorphous Microstructure for Booming Transistors and Circuits Operation, Adv. Electron. Mater. 9 (2023) 2300032. 10. L. N. Wang, G. He^, W. H. Wang, X. F. Xu, S. S. Jiang, E. Fortunato, R. Martins, Energy-band engineering by 2D MXene doping for high-performance homojunction transistors and logic circuits, J. Mater. Sci. Technolo*. 159 (2023) 41.
科研项目	1：国家自然科学基金面上项目，高k栅介质/金属栅锑化镓MOS器件中的关键物理问题研究，批准号：(11774001; 执行周期：2018-2021; 总经费：76.8万 (主持) 2：国家自然科学面上项目，高k栅介质/钝化层/InGaAs叠层结构设计、界面失稳调控及性能优化，批准号：51572002；执行周期：2016-2019; 总经费：76.8万 (主持) 3：安徽省高等研究院校企联合项目，栅极介电质可靠性之失效分析；执行周期：2024-2027；经费：60W (主持，在研） 4：安徽省领军人才团队子项目，2022-2027；经费：36万（主持，在研） 5：安徽大学晶合半导体有限公司合作项目，超薄高k栅介质界面调控和电镀孪晶铜工艺优化及结构表征；执行周期：2023-2025；经费：45W（主持，在研）
获奖情况	2014年度安徽省自然科学奖二等奖，《高k栅介质薄膜的制备、结构调控及性能优化》(排名第一)； 2016年度安徽省自然科学奖二等奖，《金属/介质(半导体)复合团簇薄膜的表征及性能研究》（排名第三); 2019度安徽省教学成果奖一等奖，《导师协作组指导下材料类一流学科研究生创新研究与实践应用能力的提升》(排名第六) 2021年度安徽省教学成果奖二等奖，《导师引领，开放协同-材料类研究生教育国际化探索余实践》(排名第三)； 2021-2025连续5年入选“全球前2%顶尖科学家”榜单。